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元器件型号详细信息
原厂型号
G2R50MT33K
摘要
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
详情
通孔 N 通道 3300 V 63A（Tc） 536W（Tc） TO-247-4
原厂/品牌
GeneSiC Semiconductor
原厂到货时间
20 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
GeneSiC Semiconductor
系列
G2R™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
3300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
63A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 40A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 10mA（标准）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
340 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7301 pF @ 1000 V
FET 功能
标准
功率耗散（最大值）
536W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-4
封装/外壳
TO-247-4
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K
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规格书
1(G2R50MT33K)
EDA 模型
1(G2R50MT33K by Ultra Librarian)
价格
数量: 10
单价: $2288.21
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $2394.92
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-