SQP120N10-09

元器件型号详细信息

原厂型号

SQP120N10-09_GE3

摘要

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

详情

通孔 N 通道 100 V 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

50

供应商库存

>>>点击查询实时库存<<<

技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

包装

管件

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

9.5 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

180 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

8645 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

375W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220AB

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

SQP120

其它名称

SQP120N10-09_GE3TRINACTIVE

SQP120N10-09_GE3CT-ND

SQP120N10-09_GE3DKR-ND

SQP120N10-09_GE3CT

SQP120N10-09_GE3TR

SQP120N10-09_GE3DKR

SQP120N10-09_GE3DKRINACTIVE

SQP120N10-09_GE3TR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SQP120N10-09_GE3

价格

数量: 100

单价: $16.5335
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $20.176
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $22.5
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IPP083N10N5AKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥15.18000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN009-100P,127

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥13.05936
替代类型. : 类似

型号 : IPP100N08N3GXKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 643
单价. : ¥15.74000
替代类型. : 类似

型号 : AOT288L

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 0
单价. : ¥6.99563
替代类型. : 类似

型号 : FDP085N10A-F102

制造商 : onsemi
库存 : 1,429
单价. : ¥23.21000
替代类型. : 类似

型号 : TK34E10N1,S1X

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥12.64000
替代类型. : 类似

型号 : AOT296L

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 0
单价. : ¥8.00022
替代类型. : 类似

型号 : IRFB4410ZPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 10,205
单价. : ¥13.20000
替代类型. : 类似

87606-331 ATS-07G-13-C2-R0 MTLW-118-05-G-D-200 AD8091ARZ-REEL7 M55342E06B953ART5

SQP120N10-09_GE3

元器件型号详细信息

技术参数

相关信息

其它名称

所属分类/目录

相关文档

价格

替代型号

相似型号