English
Spain
Rusia
Italy
GermanyAPTC60DAM24CT1G
元器件型号详细信息
原厂型号
APTC60DAM24CT1G
摘要
MOSFET N-CH 600V 95A SP4
详情
底座安装 N 通道 600 V 95A（Tc） 462W（Tc） SP4
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
CoolMOS™
包装
散装
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
95A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 47.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
300 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14400 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
462W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
SP4
封装/外壳
SP4
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
APTC60DAM24CT1G-ND
150-APTC60DAM24CT1G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Microsemi Corporation APTC60DAM24CT1G
相关文档
环保信息
()
价格
-
替代型号
-