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GermanyBFP193WE6327HTSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BFP193WE6327HTSA1
摘要
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
详情
RF 晶体管 NPN 12V 80mA 8GHz 580mW 表面贴装型 PG-SOT343-3D
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）
12V
频率 - 跃迁
8GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益
13.5dB ~ 20.5dB
功率 - 最大值
580mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
70 @ 30mA，8V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80mA
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-82A，SOT-343
供应商器件封装
PG-SOT343-3D
基本产品编号
BFP193
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
BFP193WE6327XT
BFP 193W E6327
BFP193WE6327INCT-ND
BFP193WE6327INDKR-ND
BFP193WE6327INTR
BFP 193W E6327-ND
BFP193WE6327HTSA1DKR
BFP193WE6327HTSA1TR
BFP193WE6327HTSA1CT
BFP193WE6327
SP000011026
BFP193WE6327INTR-ND
BFP193WE6327INDKR
BFP193WE6327INCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极射频晶体管/Infineon Technologies BFP193WE6327HTSA1
相关文档
规格书
1(BFP193W)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 01/Mar/2011)
HTML 规格书
1(BFP193W)
价格
-
替代型号
型号 : BFS17NTA
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 55,675
单价. : ¥3.10000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥3.10000
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