元器件型号详细信息

原厂型号
NE68133-T1B-A
摘要
RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23
详情
RF 晶体管 NPN 10V 65mA 9GHz 200mW 表面贴装型 SOT-23-3
原厂/品牌
CEL
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
CEL
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿(最大值)
10V
频率 - 跃迁
9GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
1.2dB @ 1GHz
增益
13dB
功率 - 最大值
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
50 @ 20mA,8V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
65mA
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3
基本产品编号
NE68133

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

其它名称

NE68133-T1B-ATR
NE68133-T1B-A-ND
NE68133-T1B-ACT
NE68133-T1B-ADKR
NE68133T1BA

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/双极射频晶体管/CEL NE68133-T1B-A

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规格书
()
PCN 产品变更/停产
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Transfer 25/Feb/2015)

价格

-

替代型号

型号 : MRF454
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制造商 : Infineon Technologies
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制造商 : NXP USA Inc.
库存 : 0
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制造商 : Infineon Technologies
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制造商 : Infineon Technologies
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型号 : BFR93AE6327HTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥3.82000
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库存 : 0
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制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 5
单价. : ¥3.50000
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型号 : BFP740H6327XTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 19,589
单价. : ¥5.17000
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