元器件型号详细信息

原厂型号
BSC0910NDIATMA1
摘要
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
详情
MOSFET - 阵列 25V 11A,31A 1W 表面贴装型 PG-TISON-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能
逻辑电平栅极,4.5V 驱动
漏源电压(Vdss)
25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A,31A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.6 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4500pF @ 12V
功率 - 最大值
1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
PG-TISON-8
基本产品编号
BSC0910

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

BSC0910NDIATMA1-ND
448-BSC0910NDIATMA1CT
448-BSC0910NDIATMA1TR
448-BSC0910NDIATMA1DKR
SP000998052

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies BSC0910NDIATMA1

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1(BSC0910NDI)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 25V N-Channel Spice Model)

价格

数量: 5000
单价: $8.97754
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 2000
单价: $9.32285
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $10.01338
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $12.08512
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $14.7097
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $18.301
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $20.35
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $9.32285
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $10.01338
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最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $12.08512
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最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $14.7097
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $18.301
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $20.35
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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