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GermanyHN1C01FU-GR,LF
元器件型号详细信息
原厂型号
HN1C01FU-GR,LF
摘要
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 NPN（双） 50V 150mA 80MHz 200mW 表面贴装型 US6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
晶体管类型
2 NPN（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
200 @ 2mA，6V
功率 - 最大值
200mW
频率 - 跃迁
80MHz
工作温度
125°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
US6
基本产品编号
HN1C01
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
HN1C01FUGRLFTDKR
HN1C01FU-GRLFINACTIVE
HN1C01FU-GRLFTR
HN1C01FUGRLFTCT
HN1C01FU-GRLF
HN1C01FU-GR,LF(T
HN1C01FU-GRLFDKR
HN1C01FUGRLFT
HN1C01FUGRLFTDKR-ND
HN1C01FU-GRLFCT
HN1C01FU-GRLF-ND
HN1C01FUGRLFTCT-ND
HN1C01FU-GR(L,F,T)
HN1C01FUGRLFTTR
HN1C01FUGRLFTTR-ND
HN1C01FU-GR,LF(B
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列/Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-GR,LF
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