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元器件型号详细信息
原厂型号
IPDD60R190G7XTMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 13A（Tc） 76W（Tc） PG-HDSOP-10-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,700
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ G7
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 4.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 210µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
718 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
76W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-HDSOP-10-1
封装/外壳
10-PowerSOP 模块
基本产品编号
IPDD60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPDD60R190G7XTMA1DKR
SP001632844
IPDD60R190G7XTMA1TR
2156-IPDD60R190G7XTMA1-448
IPDD60R190G7XTMA1CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPDD60R190G7XTMA1
相关文档
规格书
1(IPDD60R190G7)
PCN 设计/规格
1(CoolIMOS DS Chg 11/Dec/2020)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
HTML 规格书
1(IPDD60R190G7)
EDA 模型
()
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 600V G7 Spice Model)
价格
数量: 5100
单价: $12.6448
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1700
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最小包装数量: 1700
数量: 3400
单价: $13.13875
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1700
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最小包装数量: 1700
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1700
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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替代型号
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