元器件型号详细信息

原厂型号
IPP65R190C6XKSA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
详情
通孔 N 通道 650 V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
190 毫欧 @ 7.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 730µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
73 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1620 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
151W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP65R190

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2156-IPP65R190C6XKSA1-448
SP000849360

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPP65R190C6XKSA1

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1(IPx65R190C6)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V C6 Spice Model)

价格

数量: 500
单价: $20.0673
包装: 管件
最小包装数量: 500

替代型号

型号 : IPP65R190E6XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
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型号 : IXKP24N60C5
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥42.87540
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型号 : STP24NM60N
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,000
单价. : ¥26.23000
替代类型. : 类似
型号 : STP24N60M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,000
单价. : ¥22.82000
替代类型. : 类似
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制造商 : onsemi
库存 : 787
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替代类型. : 类似
型号 : FCP20N60
制造商 : onsemi
库存 : 1,509
单价. : ¥43.80000
替代类型. : 类似
型号 : AOT25S65L
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 0
单价. : ¥18.07879
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制造商 : STMicroelectronics
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制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥38.16800
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制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥25.92000
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制造商 : STMicroelectronics
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单价. : ¥27.67000
替代类型. : 类似