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GermanyDMN1032UCB4-7
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN1032UCB4-7
摘要
MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
详情
表面贴装型 N 通道 12 V 4.8A（Ta） 900mW（Ta） U-WLB1010-4
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
26 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
450 pF @ 6 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
900mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
U-WLB1010-4
封装/外壳
4-UFBGA，WLBGA
基本产品编号
DMN1032
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
DMN1032UCB4-7DIDKR
DMN1032UCB4-7DICT
DMN1032UCB4-7DITR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMN1032UCB4-7
相关文档
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 22/Nov/2021)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Chgs 3/Feb/2021)
HTML 规格书
1(DMN1032UCB4)
价格
-
替代型号
型号 : PMCM6501VNEZ
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 65
单价. : ¥4.69000
替代类型. : 类似
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