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GermanyIRL60S216
元器件型号详细信息
原厂型号
IRL60S216
摘要
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 195A（Tc） 375W（Tc） PG-TO263-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.95 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
255 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15330 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IRL60S216
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRL60S216CT
INFINFIRL60S216
SP001573906
2156-IRL60S216
IRL60S216DKR
IRL60S216TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRL60S216
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规格书
1(IRL60S(L)216)
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特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 23/Mar/2022)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Label Chgs Aug/2020)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Site Add 20/Mar/2019)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016)
HTML 规格书
1(IRL60S(L)216)
EDA 模型
1(IRL60S216 by Ultra Librarian)
仿真模型
1(IRL60S_SL216 Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IPB019N06L3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 803
单价. : ¥28.46000
替代类型. : MFR Recommended
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单价. : ¥28.46000
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