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元器件型号详细信息
原厂型号
SCTH100N65G2-7AG
摘要
SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 95A（Tc） 360W（Tc） H2PAK-7
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
95A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
26 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
162 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3315 pF @ 520 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
H2PAK-7
封装/外壳
TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
基本产品编号
SCTH100
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-SCTH100N65G2-7AGDKR
-1138-SCTH100N65G2-7AGCT
497-SCTH100N65G2-7AGCT
497-SCTH100N65G2-7AGTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics SCTH100N65G2-7AG
相关文档
规格书
1(SCTH100N65G2-7AG)
PCN 组装/来源
1(SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022)
PCN 封装
1(Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021)
EDA 模型
1(SCTH100N65G2-7AG by Ultra Librarian)
价格
数量: 1000
单价: $195.63594
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
数量: 100
单价: $228.7437
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $267.869
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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替代型号
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