元器件型号详细信息

原厂型号
XPN12006NC,L1XHQ
摘要
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 20A 65W(Tc) 8-TSON Advance-WF(3.1x3.1)
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
12 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1100 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
65W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-TSON Advance-WF(3.1x3.1)
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
XPN12006

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

264-XPN12006NCL1XHQTR
264-XPN12006NCL1XHQCT
264-XPN12006NCL1XHQDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage XPN12006NC,L1XHQ

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