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GermanyNSBA114TDP6T5G
元器件型号详细信息
原厂型号
NSBA114TDP6T5G
摘要
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式（双） 50V 100mA 408mW 表面贴装型 SOT-963
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
23 周
EDA/CAD 模型
标准包装
8,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
晶体管类型
2 个 PNP 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基极 (R1)
10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)
-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
160 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
250mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 跃迁
-
功率 - 最大值
408mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-963
供应商器件封装
SOT-963
基本产品编号
NSBA114
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
2832-NSBA114TDP6T5GTR
NSBA114TDP6T5GOSCT
2832-NSBA114TDP6T5G-488
NSBA114TDP6T5GOSDKR
NSBA114TDP6T5G-ND
2156-NSBA114TDP6T5G-OS
ONSONSNSBA114TDP6T5G
NSBA114TDP6T5GOSTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列，预偏置/onsemi NSBA114TDP6T5G
相关文档
规格书
1(MUN5115DW1, NSBA114TDxx)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(Wire Bond 01/Dec/2010)
HTML 规格书
1(MUN5115DW1, NSBA114TDxx)
EDA 模型
1(NSBA114TDP6T5G by SnapEDA)
价格
数量: 8000
单价: $0.81636
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 8000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 8000
数量: 2000
单价: $0.81984
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $0.89436
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $1.19248
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $1.59
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $2.337
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $2.86
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
替代型号
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