元器件型号详细信息

原厂型号
IPD65R420CFDATMA2
摘要
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO251-3
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO251-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ CFD2
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
420 毫欧 @ 3.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
31.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
870 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
83.3W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO251-3
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
基本产品编号
IPD65R420

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IPD65R420CFDATMA2-ND
SP001977048
448-IPD65R420CFDATMA2TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPD65R420CFDATMA2

相关文档

规格书
1(IPx65R420CFD)
环保信息
1(RoHS Certificate)

价格

数量: 5000
单价: $8.15249
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $8.46605
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500

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