元器件型号详细信息

原厂型号
RJH60D1DPP-E0#T2
摘要
IGBT 600V 10A
详情
IGBT 沟道 600 V 20 A 30 W 通孔 TO-220FP
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
20 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V,10A
功率 - 最大值
30 W
开关能量
100µJ(开),130µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
13 nC
25°C 时 Td(开/关)值
30ns/42ns
测试条件
300V,10A,5 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
70 ns
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220FP

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Renesas Electronics America Inc RJH60D1DPP-E0#T2

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规格书
1(RJH60D1DPP-E0)
EDA 模型
1(RJH60D1DPP-E0#T2 by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

型号 : RJH60D2DPP-A0#T2
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似