English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFDP120AN15A0
元器件型号详细信息
原厂型号
FDP120AN15A0
摘要
MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
详情
通孔 N 通道 150 V 2.8A（Ta），14A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Ta），14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
120 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
770 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
65W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
FDP120
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDP120AN15A0
相关文档
规格书
()
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
1(onsemi RoHS)
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
HTML 规格书
()
EDA 模型
1(FDP120AN15A0 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : RCX120N25
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 0
单价. : ¥22.19000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥22.19000
替代类型. : 直接