元器件型号详细信息

原厂型号
PMGD175XNEX
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 870MA 6TSSOP
详情
MOSFET - 阵列 30V 870mA(Ta) 260mW(Ta) 表面贴装型 6-TSSOP
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
4 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
870mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
252 毫欧 @ 900mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.65nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
81pF @ 15V
功率 - 最大值
260mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
6-TSSOP
基本产品编号
PMGD175

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

1727-2695-6
2156-PMGD175XNEX-NEX
568-13214-6
934068835115
568-13214-6-ND
PMGD175XNEX-ND
568-13214-1
568-13214-1-ND
568-13214-2
568-13214-2-ND
1727-2695-1
1727-2695-2

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Nexperia USA Inc. PMGD175XNEX

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规格书
1(PMGD175xNEx Datasheet)
PCN 封装
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HTML 规格书
1(PMGD175xNEx Datasheet)

价格

数量: 75000
单价: $0.77143
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 30000
单价: $0.80157
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 3000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $1.08484
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
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数量: 1
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