元器件型号详细信息

原厂型号
DMS3017SSD-13
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO
详情
MOSFET - 阵列 30V 8A,6A 1.19W 表面贴装型 8-SO
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A,6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
12 毫欧 @ 9.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
30.6nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1276pF @ 15V
功率 - 最大值
1.19W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO
基本产品编号
DMS3017

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

DMS3017SSD-13DIDKR
DMS3017SSD13
DMS3017SSD-13DITR
DMS3017SSD-13DICT
DMS3017SSD-13DI

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated DMS3017SSD-13

相关文档

规格书
1(DMS3017SSD)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 05/Feb/2019)
HTML 规格书
1(DMS3017SSD)
EDA 模型
1(DMS3017SSD-13 by SnapEDA)

价格

-

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