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GermanyIRF630NPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF630NPBF
摘要
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
详情
通孔 N 通道 200 V 9.3A（Tc） 82W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
300 毫欧 @ 5.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
575 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
82W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRF630
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
*IRF630NPBF
SP001564792
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF630NPBF
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环保信息
1(RoHS Certificate)
特色产品
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PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Site 26/Feb/2021)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016)
HTML 规格书
1(IRF630N)
EDA 模型
()
价格
数量: 10000
单价: $3.78659
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $3.9345
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $4.14158
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $4.43746
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $5.62068
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $6.804
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $8.729
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $9.78
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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