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GermanyIRLH5030TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLH5030TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 13A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
20 周
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
94 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5185 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.6W（Ta），156W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
IRLH5030
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRLH5030TRPBF-ND
IRLH5030TRPBFTR
IRLH5030TRPBFCT
IRLH5030TRPBFDKR
SP001558752
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRLH5030TRPBF
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1(IRLH5030PBF)
价格
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