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GermanyIMBG120R030M1HXTMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IMBG120R030M1HXTMA1
摘要
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263
详情
表面贴装型 N 通道 1200 V 56A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-12
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolSiC™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
56A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
41 毫欧 @ 25A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.7V @ 11.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
63 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+18V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2290 pF @ 800 V
FET 功能
标准
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-7-12
封装/外壳
TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
基本产品编号
IMBG120
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-IMBG120R030M1HXTMA1DKR
448-IMBG120R030M1HXTMA1CT
448-IMBG120R030M1HXTMA1TR
SP004463784
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IMBG120R030M1HXTMA1
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