元器件型号详细信息

原厂型号
BSC0921NDIATMA1
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
详情
MOSFET - 阵列 30V 17A,31A 1W 表面贴装型 PG-TISON-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能
逻辑电平栅极,4.5V 驱动
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A,31A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1025pF @ 15V
功率 - 最大值
1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
PG-TISON-8
基本产品编号
BSC0921

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

BSC0921NDIATMA1-ND
BSC0921NDIATMA1TR
SP000934748
BSC0921NDIATMA1CT
BSC0921NDIATMA1DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies BSC0921NDIATMA1

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EDA 模型
1(BSC0921NDIATMA1 by Ultra Librarian)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 30V N-Channel Spice Model)

价格

数量: 10000
单价: $5.94752
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 5000
单价: $6.10403
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 2000
单价: $6.33882
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $6.80838
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $8.21702
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $10.001
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $12.442
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $13.83
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $6.33882
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $6.80838
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $8.21702
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $10.001
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $13.83
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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