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GermanyIRFR825TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFR825TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 500 V 6A（Tc） 119W（Tc） D-Pak
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.3 欧姆 @ 3.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1346 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
119W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IRFR825
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRFR825TRPBFDKR
IRFR825TRPBFCT
IRFR825TRPBFTR
SP001557136
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFR825TRPBF
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1(Mult Dev Label Chgs Aug/2020)
PCN 组装/来源
1(IRFR825/IRFB812 Fab Transfer 03/Oct/2013)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022)
HTML 规格书
1(IRFR825TRPbF)
EDA 模型
1(IRFR825TRPBF by Ultra Librarian)
仿真模型
1(IRFR825PBF Saber Model)
价格
数量: 10000
单价: $3.86999
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
数量: 6000
单价: $4.02115
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
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包装: 卷带（TR）
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
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型号 : FDD5N50NZTM
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型号 : IRFR320TRRPBF
制造商 : Vishay Siliconix
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单价. : ¥6.45712
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型号 : IRFR430ATRPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 2,000
单价. : ¥15.10000
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型号 : TK5P50D(T6RSS-Q)
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
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单价. : ¥4.35901
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型号 : STD6N52K3
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,754
单价. : ¥13.51000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥13.51000
替代类型. : 类似
型号 : STD5N52U
制造商 : STMicroelectronics
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