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GermanyDMN33D8LTQ-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN33D8LTQ-13
摘要
MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 115mA（Ta） 240mW（Ta） SOT-523
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
11 周
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
48 pF @ 5 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
240mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-523
封装/外壳
SOT-523
基本产品编号
DMN33
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMN33D8LTQ-13
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规格书
1(DMN33D8LTQ)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
价格
数量: 100000
单价: $0.44128
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
数量: 50000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
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最小包装数量: 10000
替代型号
型号 : DMN33D8LT-7
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