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GermanySQ1922AEEH-T1_GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SQ1922AEEH-T1_GE3
摘要
MOSFET N-CH DUAL 20V .85A SOT-36
详情
MOSFET - 阵列 20V 850mA（Tc） 1.5W（Tc） 表面贴装型 SC-70-6
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
850mA（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
300 毫欧 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60pF @ 10V
功率 - 最大值
1.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SC-70-6
基本产品编号
SQ1922
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SQ1922AEEH-T1_GE3TR
SQ1922AEEH-T1_GE3CT
SQ1922AEEH-T1_GE3DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SQ1922AEEH-T1_GE3
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规格书
1(SQ1922AEEH Datasheet)
价格
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