元器件型号详细信息

原厂型号
NTP8G202NG
摘要
GANFET N-CH 600V 9A TO220-3
详情
通孔 N 通道 600 V 9A(Tc) 65W(Tc) TO-220
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
350 毫欧 @ 5.5A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
760 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
65W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
NTP8G2

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

NTP8G202NGOS
2156-NTP8G202NG-ON
ONSONSNTP8G202NG

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NTP8G202NG

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1(Compact Power Solutions)
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()
HTML 规格书
1(NTP8G202N)
EDA 模型
()

价格

-

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