元器件型号详细信息

原厂型号
BCR35PNE6327BTSA1
摘要
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 150MHz 250mW 表面贴装型 PG-SOT363-PO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
晶体管类型
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基极 (R1)
10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)
47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
70 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
-
频率 - 跃迁
150MHz
功率 - 最大值
250mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
PG-SOT363-PO
基本产品编号
BCR35

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

BCR 35PN E6327
BCR35PNE6327BTSA1TR
BCR 35PN E6327-ND
BCR35PNE6327XT
SP000010831

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/双极晶体管阵列,预偏置/Infineon Technologies BCR35PNE6327BTSA1

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1(BCR35PN)

价格

-

替代型号

型号 : SMUN5315DW1T1G
制造商 : onsemi
库存 : 658
单价. : ¥3.26000
替代类型. : 直接
型号 : SMUN5314DW1T1G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥3.26000
替代类型. : 直接
型号 : SMUN5311DW1T2G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥3.26000
替代类型. : 类似
型号 : MUN5311DW1T2G
制造商 : onsemi
库存 : 8,894
单价. : ¥2.31000
替代类型. : 类似
型号 : DCX114YU-7-F
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥2.46000
替代类型. : 类似
型号 : PUMD24,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥2.31000
替代类型. : 类似
型号 : DCX114EUQ-13-F
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥0.43235
替代类型. : 类似
型号 : SMUN5311DW1T1G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥3.26000
替代类型. : 类似
型号 : MUN5311DW1T1G
制造商 : onsemi
库存 : 8
单价. : ¥2.38000
替代类型. : 类似
型号 : MUN5314DW1T1G
制造商 : onsemi
库存 : 7,156
单价. : ¥2.07000
替代类型. : 类似
型号 : DCX114EUQ-7-F
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥0.54043
替代类型. : 类似
型号 : DCX114EUQ-13R-F
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥0.43235
替代类型. : 类似
型号 : DCX114EU-13R-F
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥0.23804
替代类型. : 类似
型号 : SMUN5311DW1T3G
制造商 : onsemi
库存 : 15,523
单价. : ¥3.26000
替代类型. : 类似