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GermanySI1025X-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI1025X-T1-GE3
摘要
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
详情
MOSFET - 阵列 60V 190mA 250mW 表面贴装型 SC-89（SOT-563F）
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
36 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.7nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23pF @ 25V
功率 - 最大值
250mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SC-89（SOT-563F）
基本产品编号
SI1025
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
SI1025XT1GE3
SI1025X-T1-GE3DKR
SI1025X-T1-GE3TR
SI1025X-T1-GE3CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SI1025X-T1-GE3
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规格书
1(SI1025X)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Material Chgs 1/Jul/2021)
HTML 规格书
1(SI1025X)
价格
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