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GermanyIRLH5036TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLH5036TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 60V 20A/100A 8PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 20A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），160W（Tc） 8-PQFN（5x6）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5360 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.6W（Ta），160W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerVDFN
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRLH5036TRPBF-ND
IRLH5036TRPBFCT
IRLH5036TRPBFTR
SP001552660
IRLH5036TRPBFDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRLH5036TRPBF
相关文档
规格书
1(IRLH5036PbF)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
环保信息
1(PQFN 5x6 RoHS Compliance)
设计资源
1(IRLH5036TR2PBF Saber Model)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016)
PCN 组装/来源
1(Product Assembly Notification 10/Feb/2015)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRLH5036PbF)
价格
-
替代型号
型号 : CSD18531Q5AT
制造商 : Texas Instruments
库存 : 0
单价. : ¥16.22000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥16.22000
替代类型. : 类似