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GermanyCSD85302L
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD85302L
摘要
MOSFET 2N-CH 20V 5A
详情
MOSFET - 阵列 1.7W 表面贴装型 4-Picostar（1.31x1.31）
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
1.7W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
4-XFLGA
供应商器件封装
4-Picostar（1.31x1.31）
基本产品编号
CSD85302
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
296-47761-6
CSD85302L-ND
296-47761-1
296-47761-2
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Texas Instruments CSD85302L
相关文档
规格书
1(CSD85302L Datasheet)
特色产品
1(Power Management)
制造商产品页面
1(CSD85302L Specifications)
HTML 规格书
1(CSD85302L Datasheet)
EDA 模型
1(CSD85302L by Ultra Librarian)
价格
数量: 6000
单价: $1.63371
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $1.68816
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
数量: 1000
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
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