English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFDT434P
元器件型号详细信息
原厂型号
FDT434P
摘要
MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1187 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223-4
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
FDT43
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDT434P-ND
ONSONSFDT434P
FDT434PCT
FDT434PDKR
FDT434PTR
2156-FDT434P-ONTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDT434P
相关文档
规格书
1(FDT434P)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 126/Jul/2018)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev 04/Dec/2019)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
EDA 模型
1(FDT434P by SnapEDA)
价格
-
替代型号
型号 : NTF6P02T3G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥11.50000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥11.50000
替代类型. : 直接
型号 : NVF6P02T3G
制造商 : onsemi
库存 : 9,900
单价. : ¥10.37000
替代类型. : 类似
库存 : 9,900
单价. : ¥10.37000
替代类型. : 类似