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GermanySTP80N6F6
元器件型号详细信息
原厂型号
STP80N6F6
摘要
MOSFET N-CH 60V 110A TO220
详情
通孔 N 通道 60 V 110A（Tc） 120W（Tc） TO-220
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.8 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
122 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7480 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
120W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
STP80N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-497-13976-5
STP80N6F6-ND
497-13976-5
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STP80N6F6
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规格书
1(STP80N6F6)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN 产品变更/停产
()
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(New Molding Compound 30/Aug/2019)
HTML 规格书
1(STP80N6F6)
EDA 模型
1(STP80N6F6 by Ultra Librarian)
价格
数量: 500
单价: $12.13156
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $14.7661
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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