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GermanyVS-GT180DA120U
元器件型号详细信息
原厂型号
VS-GT180DA120U
摘要
IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 单路 1200 V 281 A 1087 W 底座安装 SOT-227
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
HEXFRED®
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
单路
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
281 A
功率 - 最大值
1087 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.05V @ 15V，100A
电流 - 集电极截止（最大值）
100 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
9.35 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227
基本产品编号
GT180
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT180DA120U
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规格书
1(VS-GT180DA120U)
PCN 组装/来源
1(Wafer diameter change 07/Nov/2022)
HTML 规格书
1(VS-GT180DA120U)
价格
数量: 100
单价: $297.7676
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $342.945
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $367.59
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-