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GermanyIRF1405STRR
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF1405STRR
摘要
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 131A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
131A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.3 毫欧 @ 101A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5480 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF1405STRR
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规格书
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1(EOL122B 02/Oct/2007)
HTML 规格书
1(IRF1405S/L)
价格
-
替代型号
型号 : IPB054N06N3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 536
单价. : ¥13.67000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥13.67000
替代类型. : 类似
型号 : IRF1405STRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥24.41000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥24.41000
替代类型. : 参数等效
型号 : FDB045AN08A0-F085
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥23.48745
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥23.48745
替代类型. : 类似
型号 : STB130N6F7
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 931
单价. : ¥17.57000
替代类型. : 类似
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替代类型. : 类似
型号 : STB150NF55T4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥33.63000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥33.63000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN4R6-60BS,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥16.22000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥16.22000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN005-75B,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 4,800
单价. : ¥22.74000
替代类型. : 类似
库存 : 4,800
单价. : ¥22.74000
替代类型. : 类似
型号 : IXTA200N055T2
制造商 : IXYS
库存 : 50
单价. : ¥33.63000
替代类型. : 类似
库存 : 50
单价. : ¥33.63000
替代类型. : 类似
型号 : BUK7610-55AL,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 4,770
单价. : ¥23.45000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥23.45000
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