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GermanyGA200SA60S
元器件型号详细信息
原厂型号
GA200SA60S
摘要
IGBT MOD 600V 200A 630W SOT227B
详情
IGBT 模块 单路 600 V 200 A 630 W 底座安装 SOT-227B
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-
产品状态
停产
IGBT 类型
-
配置
单路
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
200 A
功率 - 最大值
630 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.3V @ 15V，100A
电流 - 集电极截止（最大值）
1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
16.25 nF @ 30 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227B
基本产品编号
GA200
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
VSGA200SA60S
VSGA200SA60S-ND
VS-GA200SA60S
VS-GA200SA60S-ND
*GA200SA60S
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Vishay General Semiconductor - Diodes Division GA200SA60S
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规格书
1(GA200SA60S)
HTML 规格书
1(GA200SA60S)
价格
-
替代型号
型号 : IXGN400N60A3
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥334.54807
替代类型. : 类似
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