元器件型号详细信息

原厂型号
BSS84PL6327HTSA1
摘要
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8 欧姆 @ 170mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
19 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
360mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT23
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

BSS84PL6327HTSA1TR
SP000082879
BSS84PL6327INDKR-ND
BSS84P L6327
BSS84PL6327HTSA1DKR
BSS84PL6327INCT
BSS84P L6327-ND
BSS84PL6327HTSA1CT
BSS84PL6327INDKR
BSS84PL6327XT
BSS84PL6327INCT-ND
BSS84PL6327
BSS84PL6327INTR
BSS84PL6327INTR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies BSS84PL6327HTSA1

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价格

-

替代型号

型号 : BSS84PH6327XTSA2
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
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型号 : BSS84
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥3.02000
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型号 : BSS84,215
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 328,335
单价. : ¥2.78000
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型号 : BSS84-7-F
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥1.99000
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型号 : BSS84LT1G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥3.10000
替代类型. : 类似