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GermanyNSV1C200MZ4T1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NSV1C200MZ4T1G
摘要
TRANS PNP 100V 2A SOT223
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 100 V 2 A 120MHz 800 mW 表面贴装型 SOT-223（TO-261）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
13 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
2 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
220mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
120 @ 500mA，2V
功率 - 最大值
800 mW
频率 - 跃迁
120MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223（TO-261）
基本产品编号
NSV1C200
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
2156-NSV1C200MZ4T1G-OS
NSV1C200MZ4T1GOSCT
ONSONSNSV1C200MZ4T1G
NSV1C200MZ4T1G-ND
NSV1C200MZ4T1GOSTR
NSV1C200MZ4T1GOSDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/单双极晶体管/onsemi NSV1C200MZ4T1G
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规格书
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环保信息
()
PCN 封装
1(Covering Tape/Material Chg 20/May/2016)
HTML 规格书
1(NSS1C200MZ4)
EDA 模型
1(NSV1C200MZ4T1G by Ultra Librarian)
价格
数量: 50000
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包装: 卷带（TR）
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