IPD78CN10NGBUMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD78CN10NGBUMA1

摘要

MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 100 V 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

13A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

78 毫欧 @ 13A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 12µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

11 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

716 pF @ 50 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

31W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD78C

其它名称

IPD78CN10N G-ND

SP000096460

IPD78CN10NGBUMA1DKR

IPD78CN10N GTR-ND

IPD78CN10NGBUMA1CT

IFEINFIPD78CN10NGBUMA1

2156-IPD78CN10NGBUMA1

IPD78CN10N GDKR

IPD78CN10NG

IPD78CN10N G

IPD78CN10N GCT

IPD78CN10N GDKR-ND

IPD78CN10N GCT-ND

IPD78CN10NGBUMA1TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD78CN10NGBUMA1

价格

-

替代型号

型号 : IPD78CN10NGATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 17,476
单价. : ¥7.00000
替代类型. : 直接

型号 : BUK7275-100A,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 42,437
单价. : ¥9.46000
替代类型. : 类似

型号 : DMN10H099SK3-13

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 1,669
单价. : ¥4.85000
替代类型. : 类似

型号 : FDD850N10L

制造商 : onsemi
库存 : 14,931
单价. : ¥9.38000
替代类型. : 类似

型号 : STD10NF10T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 13,770
单价. : ¥10.81000
替代类型. : 类似

型号 : DMN10H100SK3-13

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 5,315
单价. : ¥5.96000
替代类型. : 类似

型号 : STD15NF10T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥13.43000
替代类型. : 类似

型号 : STD25NF10T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥14.63000
替代类型. : 类似

PCF8574DWR 1808Y2K00222JXT M80-8820645 RLR07C6991FSB14 REC5-0512DRW/H2/A/SMD-R

IPD78CN10NGBUMA1

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