元器件型号详细信息

原厂型号
CSD86350Q5D
摘要
MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
详情
MOSFET - 阵列 25V 40A 13W 表面贴装型 8-LSON(5x6)
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6 毫欧 @ 20A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1870pF @ 12.5V
功率 - 最大值
13W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerLDFN
供应商器件封装
8-LSON(5x6)
基本产品编号
CSD86350Q5

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-HPA00936Q5D
296-27532-6
-CSD86350Q5D-NDR
296-27532-2
-HPA00936Q5D-NDR
296-27532-1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Texas Instruments CSD86350Q5D

相关文档

规格书
1(CSD86350Q5D)
产品培训模块
1(NexFET MOSFET Technology)
视频文件
()
特色产品
()
参考设计库
1(CSD86350Q5DEVM-604: 1.2V @ 25A, 8 ~ 13V in)
PCN 设计/规格
1(Qualification Revision A 01/Jul/2014)
PCN 组装/来源
1(Qualification Wire Bond 27/May/2014)
PCN 封装
1(MSL1 Bubble Bag Conversion 24/Sep/2013)
制造商产品页面
1(CSD86350Q5D Specifications)
HTML 规格书
1(CSD86350Q5D)
EDA 模型
1(CSD86350Q5D by Ultra Librarian)

价格

数量: 5000
单价: $9.70796
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $10.08134
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $10.82809
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $13.06836
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $15.9062
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $19.787
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $22.02
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $10.82809
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $13.06836
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $15.9062
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $19.787
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $22.02
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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