BSS123E6327

元器件型号详细信息

原厂型号

BSS123E6327

摘要

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

详情

表面贴装型 N 通道 100 V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

SIPMOS®

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

170mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

6 欧姆 @ 170mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.8V @ 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

2.67 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

69 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

360mW（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-SOT23

封装/外壳

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

其它名称

SP000011165

BSS123XTINCT

BSS123INCT

BSS123XTINCT-ND

BSS123XTINTR-ND

BSS123INTR

BSS123E6327XT

BSS123INTR-NDR

BSS123INCT-NDR

BSS123XTINTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSS123E6327

价格

-

替代型号

型号 : BSS123TA

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 14,614
单价. : ¥3.74000
替代类型. : 直接

型号 : BSS123,215

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 499,069
单价. : ¥2.54000
替代类型. : 类似

型号 : BSS123-7-F

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 77,255
单价. : ¥2.07000
替代类型. : 类似

型号 : BSS123

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥2.54000
替代类型. : 类似

型号 : BSS123LT1G

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥2.94000
替代类型. : 类似

型号 : BSS123L

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥2.54000
替代类型. : 类似

型号 : BSS123Q-7

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥0.36385
替代类型. : 类似

型号 : PMV213SN,215

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 340,618
单价. : ¥4.77000
替代类型. : 类似

型号 : ZVN3310FTA

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥4.85000
替代类型. : 类似

RCG120651R1FKEA ERJ-U03J182V SG-8018CG 35.3250M-TJHPA0 MSP430FR6007IPZR SIT1602BC-33-18S-38.000000

BSS123E6327

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