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GermanySTS4C3F60L
元器件型号详细信息
原厂型号
STS4C3F60L
摘要
MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC
详情
MOSFET - 阵列 60V 4A，3A 2W 表面贴装型 8-SOIC
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
STripFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A，3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
55 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1030pF @ 25V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
STS4C
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-4396-6
497-4396-2
497-4396-1
1026-STS4C3F60L
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/STMicroelectronics STS4C3F60L
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规格书
1(STS4C3F60L)
视频文件
1(Motor Control in Electric Vehicles)
HTML 规格书
1(STS4C3F60L)
EDA 模型
1(STS4C3F60L by SnapEDA)
价格
-
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