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GermanyPMDPB80XP,115
元器件型号详细信息
原厂型号
PMDPB80XP,115
摘要
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6HUSON
详情
MOSFET - 阵列 20V 2.7A 485mW 表面贴装型 6-HUSON（2x2）
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
8 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
102 毫欧 @ 2.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
550pF @ 10V
功率 - 最大值
485mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-UFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
6-HUSON（2x2）
基本产品编号
PMDPB80
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
1727-1331-6
568-10763-2-ND
PMDPB80XP,115-ND
568-10763-6
568-10763-6-ND
568-10763-2
568-10763-1-ND
934066579115
568-10763-1
1727-1331-1
1727-1331-2
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Nexperia USA Inc. PMDPB80XP,115
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1(PMDPB80XP)
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1(PMDPB80XP)
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