元器件型号详细信息

原厂型号
ZVN2120GTA
摘要
MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 320mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 欧姆 @ 250mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
85 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223-3
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
基本产品编号
ZVN2120

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

ZVN2120GTR
ZVN2120GTR-NDR
ZVN2120GDKR
ZVN2120GDKRINACTIVE
ZVN2120GDKR-ND
ZVN2120GCT-NDR
ZVN2120G
ZVN2120GCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated ZVN2120GTA

相关文档

规格书
1(ZVN2120G)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 设计/规格
1(Date Code Mark Update 13/Jan/2015)

价格

数量: 25000
单价: $2.60846
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 10000
单价: $2.67106
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 5000
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