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元器件型号详细信息
原厂型号
DMT12H090LFDF4-13
摘要
MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
详情
表面贴装型 N 通道 115 V 3.4A（Ta） 900mW（Ta） X2-DFN2020-6
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
115 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
251 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
900mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
X2-DFN2020-6
封装/外壳
6-PowerXDFN
基本产品编号
DMT12
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMT12H090LFDF4-13
相关文档
规格书
1(DMT12H090LFDF4)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
EDA 模型
1(DMT12H090LFDF4-13 by Ultra Librarian)
价格
数量: 30000
单价: $2.46636
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
数量: 10000
单价: $2.56501
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
替代型号
型号 : DMT12H090LFDF4-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥2.86098
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥2.86098
替代类型. : 参数等效