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GermanySI4276DY-T1-E3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI4276DY-T1-E3
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
详情
MOSFET - 阵列 30V 8A 3.6W，2.8W 表面贴装型 8-SOIC
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15.3 毫欧 @ 9.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
26nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1000pF @ 15V
功率 - 最大值
3.6W，2.8W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
SI4276
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SI4276DY-T1-E3
相关文档
规格书
1(SI4276DY-T1-E3)
HTML 规格书
1(SI4276DY-T1-E3)
价格
-
替代型号
型号 : DMG4800LSD-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 25,394
单价. : ¥4.61000
替代类型. : 类似
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