English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRF6644TR1PBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF6644TR1PBF
摘要
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 10.3A（Ta），60A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET™ MN
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.3A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13 毫欧 @ 10.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.8V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
47 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2210 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DIRECTFET™ MN
封装/外壳
DirectFET™ 等容 MN
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF6644TR1PBFDKR
IRF6644TR1PBFTR
IRF6644TR1PBFCT
SP001561794
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF6644TR1PBF
相关文档
规格书
1(IRF6644(TR)PbF)
其他相关文档
1(IR Part Numbering System)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 20/Dec/2013)
PCN 组装/来源
1(Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013)
PCN 其他
1(MSL Update 20/Feb/2014)
HTML 规格书
1(IRF6644(TR)PbF)
价格
-
替代型号
型号 : IRF6644TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 16,593
单价. : ¥24.01000
替代类型. : 参数等效
库存 : 16,593
单价. : ¥24.01000
替代类型. : 参数等效