元器件型号详细信息

原厂型号
IPP65R150CFDXKSA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
详情
通孔 N 通道 650 V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
产品状态
最后售卖
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
150 毫欧 @ 9.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 900µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
86 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2340 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
195.3W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP65R150

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SP000907024
IPP65R150CFDXKSA1-ND
448-IPP65R150CFDXKSA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPP65R150CFDXKSA1

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价格

数量: 500
单价: $23.3735
包装: 管件
最小包装数量: 500

替代型号

型号 : IPW65R150CFDFKSA2
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥41.58000
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型号 : IPP65R150CFDXKSA2
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥37.29000
替代类型. : 参数等效
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库存 : 0
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库存 : 0
单价. : ¥18.07879
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型号 : STP24N60DM2
制造商 : STMicroelectronics
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型号 : STP28N65M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 950
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替代类型. : 类似
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库存 : 0
单价. : ¥21.65560
替代类型. : 类似