BSZ0901NSIATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

BSZ0901NSIATMA1

摘要

MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON

详情

表面贴装型 N 通道 30 V 25A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

40 周

EDA/CAD 模型

标准包装

5,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

25A（Ta），40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

2.1 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

41 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2600 pF @ 15 V

FET 功能

肖特基二极管（体）

功率耗散（最大值）

2.1W（Ta），69W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TSDSON-8-FL

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

BSZ0901

其它名称

BSZ0901NSIDKR-ND

SP000853566

BSZ0901NSIATMA1CT

BSZ0901NSICT

BSZ0901NSI

BSZ0901NSIATMA1TR

BSZ0901NSITR

BSZ0901NSIDKR

BSZ0901NSIATMA1DKR

BSZ0901NSICT-ND

BSZ0901NSITR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSZ0901NSIATMA1

价格

数量: 10000

单价: $4.7098
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 5000

单价: $4.89379
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 2000

单价: $5.15134
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $5.5193
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $6.99114
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $8.4627
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $10.852
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $12.16
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $5.15134
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $5.5193
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $6.99114
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $8.4627
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $10.852
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $12.16
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

2-5MBCBLA12 SM6T12AHE3_A/I IDSS-16-S-04.00 PKT-MEZDPD1620A-852B INA303A2IPW

BSZ0901NSIATMA1

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