English
Spain
Rusia
Italy
GermanyTPCF8B01(TE85L,F,M
元器件型号详细信息
原厂型号
TPCF8B01(TE85L,F,M
摘要
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 2.7A（Ta） 330mW（Ta） VS-8（2.9x1.5）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSIII
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
110 毫欧 @ 1.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
470 pF @ 10 V
FET 功能
肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）
330mW（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
VS-8（2.9x1.5）
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
基本产品编号
TPCF8B01
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
TPCF8B01(TE85LFMDRK
TPCF8B01FDKR-ND
TPCF8B01(TE85L,F,M-ND
TPCF8B01FDKR
TPCF8B01(TE85LFMCT
TPCF8B01(TE85L,F)
TPCF8B01FTR
TPCF8B01(TE85LFMDRK-ND
TPCF8B01(TE85LFMDKR
TPCF8B01TE85LFM
TPCF8B01(TE85L,F,MINACTIVE
TPCF8B01(TE85LFMTR
TPCF8B01(TE85L,F)-ND
TPCF8B01FCT
TPCF8B01FTR-ND
TPCF8B01FCT-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8B01(TE85L,F,M
相关文档
规格书
()
PCN 产品变更/停产
1(EOL 08/Nov/2013)
HTML 规格书
()
EDA 模型
1(tpcf8b01(te85l by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : TT8U2TCR
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似